Bipolartransistorgerät mit isoliertem Gate

Bipolartransistorgerät mit isoliertem Gate

Die Serie der Insulated-Gate-Bipolartransistoren deckt mehrere Spannungs- und Stromspezifikationen ab. Dank des Chipdesigns mit geringem Schaltverlust und hoher Stoßstromfestigkeit eignen sich diese Geräte für Hochfrequenz-Servoantriebsanwendungen und anspruchsvolle industrielle Leistungssteuerungssysteme. Für alle Halbleiterprodukte gilt eine 18-monatige Garantie.
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Produktbeschreibung

Basierend auf 39 Jahren Erfahrung in der Herstellung von Bewegungssteuerungs-Antriebskomponenten und der Herstellung von Leistungselektronik produzieren wir unabhängig voneinander Produkte mit isolierten Gate-Bipolartransistoren für Servomotorantriebe, Roboter-Gelenksteuerungen, industrielle Frequenzumrichter und Stromversorgungssysteme für erneuerbare Energien. Durch eine optimierte Chip-Packaging-Technologie reduzieren unsere IGBT-Geräte Leitungsverluste und verbessern die Langzeitstabilität von Hochleistungsgeräten.

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Unser 1987 gegründetes Werk betreibt eine 16.000 Quadratmeter große Produktionsanlage mit einem unabhängigen Team für die Entwicklung von Halbleiterkomponenten. Spezielle Produktionslinien für saubere Verpackungen und professionelles Halbleiterinspektionspersonal sorgen für eine stabile Qualitätskontrolle. JederBipolartransistorgerät mit isoliertem Gatewird vor dem Versand einer vollständigen Spannungsfestigkeits-, Isolations- und Leitungsleistungsprüfung unterzogen. Unsere monatliche Produktionskapazität für Motorkomponenten und Leistungshalbleiterprodukte erreicht 30.000 Einheiten. Die Produkte entsprechen den internationalen Exportbestimmungen und werden in großem Umfang an globale Hersteller von Automatisierungsgeräten geliefert.

 

DerBipolartransistorgerät mit isoliertem GateDie Serie deckt mehrere Spannungs- und Stromspezifikationen ab. Dank des Chipdesigns mit geringem Schaltverlust und hoher Stoßstromfestigkeit eignen sich diese Geräte für Hochfrequenz-Servoantriebsanwendungen und anspruchsvolle industrielle Leistungssteuerungssysteme. Für alle Halbleiterprodukte gilt eine 18-monatige Garantie.

 

Vor dem Kauf bieten unsere technischen Ingenieure Fernunterstützung für Antriebsplatinen-Stromversorgungslösungen, IGBT-Parameterauswahl und Anpassung der Steuerkreiskommunikation. StandardBipolartransistorgerät mit isoliertem GateBestellungen können innerhalb von 7-14 Tagen geliefert werden. Kundenspezifische Gehäusestrukturen oder elektrische Spezifikationen benötigen 15–45 Tage für die Musterentwicklung. Die Mindestbestellmenge beginnt bei 50 Stück pro Modell, wobei gemischte Spezifikationen verfügbar sind.

 

Während der Produktion können Kunden in Echtzeit Fotos oder Videos von Verpackungs- und Elektrotests erhalten-. Die elektrische Inspektion von Halbleitern durch Dritte-wird unterstützt. Die Produkte werden in antistatischen Vakuumbeuteln mit feuchtigkeitsbeständigen Exportkartons verpackt und alle Sendungen sind durch eine internationale Frachtversicherung abgedeckt.

 

Spezifikationen

 

Parameter

Standardspezifikation

Produktmodell

Vollständige Serie von bipolaren Transistoren mit isoliertem Gate

Nennspannung

600 V/1200 V Industriequalität

Nennstrom

10A~300A wählbare Nennströme

Schaltverlust

Verlustarmes-optimiertes Chip-Verpackungsdesign

Anwendungskompatibilität

Servotreiber / Roboter-Gelenkantrieb / Frequenzumrichter

Überspannungsschutz

Eingebaute-Stoßstrom-Widerstandsstruktur

 

Anwendungen

 

  • Servomotor-Antriebssysteme
  • Integrierte Roboter-Gelenksteuerungen
  • Industrielle Frequenzumrichter
  • Energiespeicher-Stromumwandlungssysteme
  • Leistungssteuereinheiten für CNC-Maschinen
  • Solar-Photovoltaik-Wechselrichter
  • Leistungsmodule für medizinische Geräte
  • Leistungsschalttafeln für die industrielle Automatisierung
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Anpassungsfähigkeit

 

Wir bieten ODM-Anpassungsdienste für anBipolartransistorgerät mit isoliertem Gate, einschließlich:

  • Anpassung der Nennspannung
  • Aktuelle Spezifikationsanpassung
  • Änderung der Paketstruktur
  • Optimierung des Pin-Layouts
  • Anpassung der Chipleistung

Basierend auf den Antriebsplatinendesigns unserer Kunden können wir elektrische Parameter und Installationsstrukturen anpassen.

Anpassungsdienste:

  • Musterentwicklungszyklus: 15–45 Tage
  • Mindestbestellmenge: 50 Stück pro Modell
  • Mehrere Spezifikationen können gemischt werden
  • Anwendungsoptimierung mit hoher-Frequenz und hoher-Leistung verfügbar
  • Unterstützung der OEM-Entwicklung von Antriebsplatinen

 

Verpackung & Versand

 

Alle IGBT-Geräte sind einzeln in antistatischen Vakuumbeuteln und feuchtigkeitsbeständigen Exportkartons verpackt.

Große-Halbleiteraufträge können mit begasungsfreien-Holzkisten verstärkt werden.

Versandbedingungen:

  • Internationale Transportversicherung inklusive
  • EXW / FOB / DDP unterstützt
  • USD-Zahlung möglich
  • Für Standardbestellungen ist eine Anzahlung von 30 % erforderlich
  • Für kundenspezifische IGBT-Produkte ist eine Anzahlung von 50 % erforderlich
  • Restzahlung nach Erhalt der Frachtbriefkopie

 

FAQ

 

F: 1. Wie hoch ist Ihr MOQ für bipolare Transistorgeräte mit isoliertem Gate?

A: Die Mindestbestellmenge für alle IGBT-Leistungsgeräte beträgt 50 Stück pro Modell.

F: 2. Können wir Produktionsfotos von IGBT-Geräten während der Massenproduktion-in Echtzeit erhalten?

A: Ja. Für alle Kundenaufträge stellen wir kostenlose Produktionsfotos und Videos von IGBT-Verpackungen und elektrischen Tests zur Verfügung.

F: 3. Wie lang ist die Werksgarantiezeit für alle IGBT-Halbleiterprodukte?

A: Für alle Leistungshalbleiterprodukte gilt eine weltweite Werksgarantie von 18 Monaten.

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