Siliziumkarbid-Leistungsmodul

Siliziumkarbid-Leistungsmodul

Das Siliziumkarbid-Leistungsmodul unterstützt den Hochfrequenz-Trägerbetrieb. Seine hoch-temperaturbeständige-SiC-Chipstruktur vereinfacht das Systemkühlungsdesign. Die verfügbaren Spannungswerte umfassen 600 V und 1200 V und decken Leichtbauroboter und Geräteanwendungen für erneuerbare Energien ab.
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Produktbeschreibung

Mit 39 Jahren Erfahrung im Bereich Leistungshalbleiterkomponenten für Servomotoren und Roboterantriebssysteme haben wir das Siliziumkarbid-Leistungsmodul unabhängig entwickelt und in Massenproduktion-produziert. Im Vergleich zu herkömmlichen IGBT-Modulen auf Siliziumbasis reduziert die SiC-Technologie die Schaltverluste und die Betriebstemperatur erheblich und verbessert die Energieumwandlungseffizienz unter Hochfrequenz- und Hochspannungsbedingungen um mehr als 20 %. Es eignet sich ideal für Hochgeschwindigkeits-Servoantriebe der nächsten -Generation und humanoide Hochleistungsroboter-Gelenksysteme.

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Unser 1987 gegründetes Werk erstreckt sich über eine Fläche von 16.000 m² und verfügt über spezielle Werkstätten für staubfreie Halbleiterverpackungen. Zu unseren 125 Mitarbeitern zählen Halbleiter-F&E-Ingenieure und Spezialisten für elektrische Tests. Unsere interne Forschungs- und Entwicklungsabteilung verbessert kontinuierlich die Chip-Verpackungsstruktur und das thermische Design desSiliziumkarbid-Leistungsmodul.

Die monatliche Produktionskapazität von Motoren und Leistungshalbleiterprodukten erreicht 30.000 Sätze. JederSiliziumkarbid-LeistungsmodulVor dem Versand wird es einem vollständigen{{0}Lastalterungstest, einem Spannungsfestigkeitstest und einer Hochfrequenz-Leistungsprüfung unterzogen. Die Produkte entsprechen den CE- und Energiesparzertifizierungen und werden in großem Umfang an Hersteller fortschrittlicher Automatisierungsgeräte in Europa und Amerika geliefert.

DerSiliziumkarbid-Leistungsmodulunterstützt den Hochfrequenz-Trägerbetrieb. Seine hoch-temperaturbeständige-SiC-Chipstruktur vereinfacht das Systemkühlungsdesign. Die verfügbaren Spannungswerte umfassen 600 V und 1200 V und decken Leichtbauroboter und Geräteanwendungen für erneuerbare Energien ab.

Für alle Produkte gilt eine 18-monatige Werksgarantie, die Chip- und Gehäusefehler abdeckt.

Vor dem Kauf bieten wir technischen Fernsupport für Hochfrequenz-Antriebslösungen, SiC-Komponentenauswahl und Systemkommunikationskompatibilität.

StandardSiliziumkarbid-LeistungsmodulProdukte können innerhalb von 7-14 Tagen geliefert werden. Kundenspezifische Pin-Strukturen und Leistungsspezifikationen benötigen 15–45 Tage für die Musterentwicklung.

Eine 50-teilige Mindestbestellmenge unterstützt gemischte Bestellungen verschiedener Spannungsklassen.

Während der Herstellung können Fotos zum Produktionsfortschritt, zur Verpackungsinspektion und zu thermischen Tests bereitgestellt werden. Halbleitertests von Drittanbietern werden unterstützt.

Die Produkte werden in antistatischen Vakuumbeuteln mit feuchtigkeitsbeständigen Exportkartons verschickt. Für alle Sendungen ist eine internationale Frachtversicherung inbegriffen.

 

Spezifikationen

 

Parameter

Standardspezifikation

Produktmodell

Siliziumkarbid-Leistungsmodul der Serie 600 V/1200 V

Chipmaterial

Siliziumkarbid-Halbleiterchip mit großer-Bandlücke

Nennstrom

30A-200A-Optionen

Schaltverlust

Bis zu 60 % niedriger als auf Silizium- basierende IGBTs

Anwendung

Hochgeschwindigkeitsservo, humanoider Roboterantrieb, Wechselrichter für erneuerbare Energien

Betriebstemperatur

-40 Grad bis 175 Grad

 

Anwendungen

 

  • Hochgeschwindigkeits-Servomotorantriebe
  • Hochleistungsgelenkantriebe für humanoide Roboter
  • Solarenergiespeicher-Wechselrichter
  • Leistungssteuerungssysteme für Elektrofahrzeuge
  • Hochpräzise CNC-Spindelantriebe
  • Netzteile für Halbleitergeräte
  • Industrielle Hochfrequenzwandler.-
  • Leichte Antriebseinheiten für kollaborative Roboter
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Anpassungsfähigkeit

 

Wir unterstützen OEM- und ODM-Anpassungen für:

  • Pin-Konfiguration
  • Design des Wärmeableitungssubstrats
  • Nennstromspezifikationen

Kundenspezifische Muster können gemäß den Zeichnungen der Antriebsplatine des Kunden entwickelt werden.

Beispielentwicklungszeitraum:

  • 15-45 Werktage
  • Mindestbestellmenge:
  • 50 Stück

Modelle mit gemischter Spannung werden unterstützt.

Wir können SiC-Chiplösungen für Ultra-Hochfrequenz--Servoanwendungen optimieren und maßgeschneiderte SiC-Treiberplatinenentwicklung anbieten.

 

Verpackung & Versand

 

Die Produkte werden einzeln mit antistatischer, feuchtigkeitsbeständiger Vakuumverpackung- und verstärkten Exportkartons verpackt.

Für große Bestellungen können begasungsfreie-Holzkisten verwendet werden.

Alle Sendungen beinhalten eine internationale Frachtversicherung.

Handelsbedingungen:

  • EXW
  • FOB
  • DDP

Zahlungsbedingungen:

  • Standardmodule: 30 % Anzahlung
  • Kundenspezifische SiC-Module: 50 % Anzahlung

Die Restzahlung erfolgt anhand der Versanddokumente.

 

FAQ

 

F: 1. Wie lange ist die Garantiezeit für Siliziumkarbid-Leistungsmodule?

A: Für alle Leistungshalbleitermodule gilt eine 18-monatige Werksgarantie.

F: 2. Können Sie auf der Grundlage unserer Schaltkreiszeichnungen kundenspezifische Muster für Siliziumkarbid-Leistungsmodule bereitstellen?

A: Ja. Wir können innerhalb von 15–45 Tagen exklusive SiC-Leistungsmodulmuster gemäß den technischen Zeichnungen des Kunden entwickeln.

F: 3. Werden Sie während der Massenproduktion Produktions- und Alterungstestfotos bereitstellen?

A: Ja. Für alle Bestellungen können -Echtzeit-Produktionsfotos und Alterungstestvideos kostenlos zur Verfügung gestellt werden.

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