Definition eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate

Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist ein zusammengesetztes, vollständig gesteuertes, spannungsgesteuertes Leistungshalbleiterbauelement, das die Vorteile von MOSFET (Metal-Oxid-Semiconductor Field-Effect Transistor) und BJT (Bipolar Junction Transistor) vereint.

 

Kerndefinitionspunkte
Strukturzusammensetzung: Kombiniert die hohe Eingangsimpedanz und die spannungsgesteuerten Eigenschaften eines MOSFET mit dem geringen Leitungsspannungsabfall und der hohen Strombelastbarkeit eines BJT.

 

Funktionsprinzip: Durch Anlegen einer Spannung an das Gate zur Steuerung der Kanalbildung liefert es Basisstrom an den PNP-Transistor und sorgt so für das Ein- oder Ausschalten.

 

Anschlussstruktur: Hat drei Elektroden: - Gate (G), Kollektor (C) und Emitter (E).

 

Hauptvorteile
Hohe Eingangsimpedanz (ähnlich MOSFET, geringe Antriebsleistung)

Geringer Leitungsspannungsabfall (ähnlich wie BJT, geringer Leitungsverlust)

Geeignet für Hochspannungs-, Hochstrom- und Mittel- bis Hochfrequenzanwendungen