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IGBT 1200 V
Unsere IGBT-Module mit hoher Leistungsdichte bieten hohe Leistung bei sehr kleiner Größe. Unser Unternehmen wurde 1987 gegründet. Wir verfügen über ein eigenes F&E- und Vertriebsteam. Wir nutzen
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1200-Volt-Leistungstransistor
Der 1200-Volt-Leistungstransistor deckt Nennströme von 20 A bis 300 A ab und verfügt über eine Isolationspufferschicht, um elektromagnetische Hochspannungsstörungen zu reduzieren. Es ist für
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Industrielles Leistungsschaltmodul
Das Industrial Power Switching Module deckt die gängigen Industriespannungsebenen 600 V und 1200 V mit Nennströmen von 30 A bis 500 A in verschiedenen Abstufungen ab. Es verfügt über mehrere
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Platzsparendes IGBT-Modul
Das platzsparende IGBT-Modul nutzt eine 600-V-Industriespannungsplattform mit Nennströmen von 15 A bis 130 A. Das ultradünne thermische Substratdesign löst Herausforderungen bei der Wärmeableitung in
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Intelligentes Leistungshalbleitermodul
Das Smart Power Semiconductor Module integriert IGBT-Chips, Treiberschaltungen, Überstromschutz, Überspannungsschutz, Übertemperaturschutz und Temperaturrückmeldungsfunktionen. Es unterstützt eine
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Hocheffizientes IGBT-Modul
Das hocheffiziente IGBT-Modul verwendet eine kompakte 600-V-Spannungsplattform mit Nennströmen von 20 A bis 120 A. Dank seiner temperatur- und vibrationsfesten-beständigen Verpackungsstruktur eignet
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Universelles IGBT-Halbleitermodul
Das Universal-IGBT-Halbleitermodul deckt 600-V- und 1200-V-Spannungsplattformen mit Nennströmen von 30 A bis 150 A ab. Der integrierte Pufferschaltkreis vereinfacht das Design externer Schaltkreise
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Hochstrom-IGBT-Komponente
Die Hochstrom-IGBT-Komponente ist in den Spannungsplattformen 600 V und 1200 V mit Nennströmen von 100 A bis 600 A erhältlich. Die eingebaute-Kurzschlussschutzschaltung-reduziert das Risiko von
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100 Ampere IGBT-Halbleiter
Der 100-Ampere-IGBT-Halbleiter ist in zwei Spannungsklassen erhältlich: 600 V und 1200 V. Das integrierte Wärmeableitungssubstrat reduziert die Komplexität des thermischen Designs des Systems,
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Bipolartransistorgerät mit isoliertem Gate
Die Serie der Insulated-Gate-Bipolartransistoren deckt mehrere Spannungs- und Stromspezifikationen ab. Dank des Chipdesigns mit geringem Schaltverlust und hoher Stoßstromfestigkeit eignen sich diese
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Sic IGBT-Modul
Unsere universellen-IGBT-Module sind genau das. Hangzhou Zhongda Motor Co., Ltd. wurde 1987 gegründet. Wir stellen diese Allzweck-IGBT-Module für die gängigsten Größen. 50A, 75 A, 100 A, 150 A bei
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Hochleistungs-IGBT
Unsere intelligenten Leistungsmodule verfügen über Antriebsschaltkreise und Schutzschaltkreise. Sie machen Ihr Design viel einfacher. Wir sind Hangzhou Zhongda Motor. Wir begannen 1987 mit der
Unser Unternehmen bietet Benutzern nicht nur eine qualitativ hochwertige Intelligente Leistungsmodule IPM , IGBT-Modul, igbt npc Modul bietet Kunden aber auch hochwertige und nachdenkliche Vorverkaufs-, Verkaufs- und Nachverkaufsdienste. In diesem Sinne sind wir zu einem der technologisch innovativsten, kostengünstigsten und preiswettbewerbsfähigen Hersteller gewordenLow-EMI-IGBT-Modul . Wir hoffen, dass diese Website ein Fenster für Freunde aus allen Lebensbereichen werden kann, um unser Unternehmen und eine Brücke für den gegenseitigen Austausch zu verstehen, um unsere Zusammenarbeit zu fördern und gemeinsam eine bessere Zukunft zu schaffen. Kontinuierliche Innovationen und wissenschaftliches Management garantieren die Verbesserungen der Qualität unserer Produkte. Unser Unternehmen ist stark, Kredit, Vertrag, Produktqualitätssicherung, eine Vielzahl von Geschäftsmerkmalen und das Prinzip des dünnen Gewinns und mehr Umsatz gewann das Vertrauen unserer Kunden. Unser Engagement für ökologische Nachhaltigkeit spiegelt sich in unseren umweltfreundlichen Produkten und Prozessen und unseren Bemühungen zur Reduzierung von Abfall und CO2-Fußabdruck wider. Wir investieren in Forschung und Entwicklung, um sicherzustellen, dass unsere Produkte von höchster Qualität sind und die Bedürfnisse unserer Kunden erfüllen.
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