Grundlegende Eigenschaften des Insulated-Gate-Bipolartransistors (IGBT)

Wichtigste elektrische Eigenschaften

Hohe Eingangsimpedanz: Übernimmt die Eigenschaften eines MOSFET, erfordert eine geringe Antriebsleistung und verfügt über eine einfache Antriebsschaltung.

 

Geringer Leitungsspannungsabfall: Nutzt den Leitfähigkeitsmodulationseffekt; Die Sättigungsspannung im eingeschalteten Zustand (Vce(sat)) ist viel niedriger als die von MOSFETs mit der gleichen Nennspannung, typischerweise 1,5–3 V.

 

Hochspannungs- und große Stromfähigkeit: Geeignet für Spannungspegel von 600 V bis 6500 V, mit Stromstärken von über 10 A bis 1800 A.

 

Moderate Schaltfrequenz: Der Betriebsfrequenzbereich beträgt normalerweise mehrere zehn kHz (z. B. 10–100 kHz), höher als bei BJT, aber niedriger als bei MOSFET.

 

Positiver Temperaturkoeffizient: Unter Nennstrom steigt Vce(sat) mit der Temperatur leicht an, was sich bei paralleler Verwendung positiv auf die Stromverteilung auswirkt.