Tipps zur Verwendung von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate

Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist ein spannungsgesteuertes Schaltgerät, das häufig in elektronischen Systemen mittlerer bis hoher Leistung eingesetzt wird. Er kombiniert die Vorteile der hohen Eingangsimpedanz und einfachen Ansteuerung von MOSFETs mit dem geringen Leitungsspannungsabfall und der hohen Strombelastbarkeit von BJTs.

 

Grundlegende Nutzungspunkte
Anforderungen an die Fahrspannung
IGBTs sind spannungsgesteuerte-Geräte. Zum Einschalten sollte eine Spannung von +12V bis +18V (typischer Wert) zwischen Gate und Emitter angelegt werden; Zum Ausschalten-können 0 V oder eine negative Spannung (z. B. -5 V bis -15 V) angelegt werden, um die Entstörungsfähigkeit zu verbessern und das Ausschalten zu beschleunigen.

 

Die Gate-Treiberspannung darf ±20 V nicht überschreiten, da sonst die Gate-Oxidschicht beschädigt werden könnte.

 

Auswahl der Strom- und Spannungsnennwerte
IGBTs können Ströme von mehreren hundert Ampere (zum Beispiel über 500 A) und Spannungen von mehreren tausend Volt verarbeiten. Bei der Auswahl sollte ein Spielraum von 20 % bis 30 % eingehalten werden, um Schäden durch Überspannung oder Überstrom zu vermeiden.