Definition eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate

Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist ein zusammengesetztes, vollständig gesteuertes, spannungsgesteuertes Leistungshalbleiterbauelement, das die Vorteile von MOSFET (Metal-Oxid-Semiconductor Field-Effect Transistor) und BJT (Bipolar Junction Transistor) vereint.

 

Kerndefinitionspunkte
Strukturzusammensetzung: Besteht aus der hohen Eingangsimpedanz und den spannungsgesteuerten Eigenschaften eines MOSFET in Kombination mit dem geringen Leitungsspannungsabfall und der hohen Stromtragfähigkeit eines BJT.

Funktionsprinzip: Durch Anlegen einer Spannung an das Gate zur Steuerung der Kanalbildung liefert es Basisstrom an den PNP-Transistor und sorgt so für das Ein- oder Ausschalten.

Terminalstruktur: Es verfügt über drei Terminals: Gate (G), Collector (C) und Emitter (E).

 

Hauptvorteile:
Hohe Eingangsimpedanz (wie MOSFET, niedrige Antriebsleistung)
Geringer Leitungsspannungsabfall (wie BJT, geringer Leitungsverlust)
Geeignet für Hochspannungs-, Hochstrom- und Mittel{0}}Hochfrequenzanwendungen