Anwendungstipps für Bipolartransistorschaltungen mit isoliertem Gate

Dead-Zeitkontrolle
In Halb-{0}}Brücken-/Voll---Brückentopologien muss beim Schalten der oberen und unteren Transistoren eine Totzeit (typischerweise 0,5–2 μs) eingefügt werden, um direkte Kurzschlüsse zu verhindern. Moderne Gate-Treiber können diese Zeit automatisch einfügen.

 

Freilaufdioden-Kooperation
IGBT ist ein unidirektionales Gerät. Induktive Lasten (z. B. Motoren oder Transformatoren) müssen über parallel geschaltete schnelle Freilaufdioden (FWD) verfügen, um einen Rückstrompfad bereitzustellen.

 

Typauswahl
Sättigungstyp (PT-IGBT): Geeignet für Gleichstromkreise (z. B. DC-DC-Wandler) mit geringer Sperrspannungsfestigkeit.

 

Nicht-Sättigungstyp (NPT-IGBT): Geeignet für AC- oder bidirektionale Spannungsszenarien (z. B. Wechselrichter) mit symmetrischer Sperrfähigkeit.