Funktionen von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate

Kernfunktionen

Hoch-effiziente Stromumwandlung und -steuerung: Fungiert als Schaltgerät, um eine effiziente Umwandlung zwischen Gleichstrom und Wechselstrom zu erreichen (z. B. Gleichstrom/Wechselstrom-Umkehrung).

 

Hohe Eingangsimpedanz, spannungsgesteuert-: Das Gate verbraucht nahezu keinen Strom (Mikroampere-Pegel) und erfordert daher eine geringe Antriebsleistung, wobei nur eine Antriebsspannung von 10–15 V erforderlich ist.

 

Geringer Leitungsspannungsabfall: Der Sättigungsspannungsabfall im eingeschalteten -Zustand beträgt typischerweise 1–3 V und ist damit viel geringer als bei entsprechenden MOSFETs, wodurch der Leitungsverlust bei hohem Strom erheblich reduziert wird.

 

Hohe Schaltfrequenz: Unterstützt Schaltfrequenzen von 1–20 kHz, geeignet für Hochfrequenz-Wechselrichteranwendungen (z. B. Photovoltaik-Wechselrichter und Motorantriebe).

 

Hohe Belastbarkeit: Ein einzelnes Modul kann Spannungen bis zu 6500 V und Strömen bis zu 600 A standhalten und eignet sich für Systeme mit hoher -Spannung und hoher-Leistung.